第一部分 失效分析技術(shù)
1 失效分析基礎(chǔ)
l 可靠性工作的目的，失效分析的理論基礎(chǔ)、工作思路
l 術(shù)語定義與解釋：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效機理、應(yīng)力……
l 失效分析的問題來源、入手點、輸出物、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
2 失效分析技術(shù)方法
2.1 失效分析的原則
2.2 失效分析程序
l 完整的故障處理流程
l 整機和板級故障分析技術(shù)程序
l 元器件級失效分析技術(shù)程序（工作過程和具體的方法手段介紹）
2.3 失效信息收集的方法與具體工作內(nèi)容
l 如何確定失效信息收集的關(guān)注點
l 樣品信息需要包括的內(nèi)容
l 失效現(xiàn)場外部信息的內(nèi)容
l 信息收集表格示例
l 信息收集為后面技術(shù)分析工作貢獻的示例
2.4 外觀檢查
l 外觀檢查應(yīng)該關(guān)注的哪些方面
l 外觀檢查發(fā)現(xiàn)問題示例
l 外觀檢查的儀器設(shè)備工具
2.5 電學(xué)測試
l 如何用電測驗證失效模式和預(yù)判失效機理
l 電測的具體方法
l 幾種典型電測結(jié)果的機理解析
l 電測時復(fù)現(xiàn)間歇性失效現(xiàn)象的示例
l 在電測中如何利用外部應(yīng)力與失效機理的關(guān)聯(lián)
l 電測的常用儀器設(shè)備
2.6 X－RAY
l X-RAY的工作原理與設(shè)備技術(shù)指標(biāo)
l 不同材料的不透明度比較
l X-RAY的用途
l X-RAY在失效分析中的示例
l X-RAY的優(yōu)缺點
l X-RAY與C-SAM的比較
2.7 C-SAM
l C-SAM的工作原理與設(shè)備技術(shù)指標(biāo)
l C-SAM的特點與用途
l C-SAM、X-RAY在失效分析中聯(lián)合應(yīng)證的使用示例
l C-SAM的優(yōu)缺點
2.8 密封器件物理分析
l PIND介紹
l 氣密性分析介紹
l 內(nèi)部氣氛分析介紹
2.9 開封制樣
l 化學(xué)開封的方法、設(shè)備、技術(shù)要點介紹
l 化學(xué)開封發(fā)現(xiàn)器件內(nèi)部失效點的示例
l 切片制樣的具體方法與步驟
l 切片制樣發(fā)現(xiàn)器件和焊點內(nèi)部失效點的示例
2.10 芯片剝層
l 化學(xué)腐蝕法去除鈍化層的具體方法，及其特點與風(fēng)險
l 等離子腐蝕去除鈍化層的具體方法，及其特點與風(fēng)險
l 腐蝕鈍化層后樣品觀察區(qū)的形貌示例
l 去除金屬化層的具體方法與示例
2.11 失效定位－SEM
l SEM的工作原理與設(shè)備特點
l 光學(xué)顯微鏡與SEM的性能比較
l 光學(xué)顯微鏡與SEM具體成像區(qū)別示例
2.12 失效定位－成份分析
l 成份分析中的技術(shù)關(guān)注點經(jīng)驗
l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析儀器的用法比較
l 成份分析在器件內(nèi)部分析中的作用示例
2.13 內(nèi)部熱分析－紅外熱相
2.14內(nèi)部漏電分析－EMMI
2.15 芯片內(nèi)部線路驗證－FIB
2.16 綜合分析與結(jié)論
l 綜合分析中的邏輯思維能力
l 結(jié)論的特點與正確使用
2.17 驗證與改進建議
l 根本原因排查與驗證
l 改進建議及效果跟蹤
第二部分 各類失效機理的歸納講解與相應(yīng)案例分析
（1） 失效分析全過程案例
失效信息收集與分析
思路分析
過程方法
邏輯推導(dǎo)
試驗手段
綜合分析
結(jié)論與建議
（2）靜電放電失效機理講解與案例分析
靜電損傷的原理
靜電損傷的三種模型講解
靜電損傷的途徑
靜電放電的失效模式
靜電放電的失效機理
靜電損傷的案例（比較器、單片機、微波器件、發(fā)光管、功率管）
靜電損害的特點
（3）閂鎖失效機理講解與案例分析
閂鎖損壞器件的原理
閂鎖損壞器件的特征
閂鎖損壞器件的案例（開關(guān)器件、驅(qū)動器件等）
閂鎖與端口短路的比較
CMOS電路引起閂鎖的外部條件
靜電與閂鎖的保護設(shè)計
（4）過電失效類失效機理講解與案例分析
過電的類型及特點（浪涌、過電壓、過電流、過功率等）
對應(yīng)不同類型的過電的失效案例
（5）機械應(yīng)力類失效機理講解與案例分析
機械應(yīng)力常見的損傷類型
案例（外部機械應(yīng)力損傷、裝配損傷、內(nèi)部結(jié)構(gòu)不合理的損傷）
（6）熱變應(yīng)力類失效機理講解與案例分析
熱變應(yīng)力損傷的類型和特征
案例（爆米花、倒裝焊球短路、芯片耐焊接熱應(yīng)力、PCB爆板、LED界面分離等）
（7）結(jié)構(gòu)缺陷類失效機理講解與案例分析
熱結(jié)構(gòu)缺陷的類型和特征
案例（軸向安裝燒結(jié)不良、功率器件燒結(jié)空洞、界面分離等）
發(fā)現(xiàn)缺陷的技術(shù)手段
（8）材料缺陷類失效機理講解與案例分析
繞線材料缺陷
鈍化材料缺陷
引線材料缺陷
簧片材料缺陷
（9）工藝缺陷類失效機理講解與案例分析
工藝缺陷的類型和主要特征，發(fā)現(xiàn)手段
案例（金帶毛邊、各類鍵合缺陷、粘接和燒結(jié)缺陷、面電極印刷缺陷、鈍化缺陷等）
（10）應(yīng)用設(shè)計缺陷類失效機理講解與案例分析
案例（VDMOS串聯(lián)使用不當(dāng)、I/O口保護、PCB布板缺陷等）
（11）污染腐蝕類失效機理講解與案例分析
污染的來源與類型，腐蝕的主要原理
案例（磷酸殘留、Na＋污染、電化學(xué)遷移、S-Ag腐蝕、塑料揮發(fā)的污染、連接觸點污染的分析手段）
（12）元器件固有機理類失效機理講解與案例分析
不同類型的元器件固有失效機理的歸納
案例（臺面結(jié)、接觸金屬缺陷、保護環(huán)、靜電放電、金鋁接觸、硅鋁共熔、鋁電遷移等）
（13）面目全非的樣品的分析
